晶振的選擇與應(yīng)用
來源：http://www.py519.com 作者：yijindz 2012年04月30
任何竄入到振蕩電路中的噪聲信號都無疑對計時電路的準(zhǔn)確性產(chǎn)生影響，在設(shè)計實時時鐘
電路的印刷線路板必須采取一定的預(yù)防措施：
1、SMD晶振的位置要遠(yuǎn)離任何有高速數(shù)據(jù)通過的串行或并行總線，高速數(shù)據(jù)傳輸會在振蕩電路
上產(chǎn)生感應(yīng)信號。
2、 在晶振的周圍布一條不封閉的地線，地線的一端連接到芯片的地線，地線可以有效地阻擋外部的噪聲。
3、在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設(shè)地線，以免形成電容影響晶振頻率的準(zhǔn)確性。
關(guān)于第3點非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導(dǎo)致石英水晶振子起振困難或者振蕩不穩(wěn)定。
如果晶振不起振也有可能線路板問題，焊接如果偏離一點位置，會有一些不一樣的影響
購買晶振時要注意的幾項參數(shù)
4、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。
5、工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
6、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
7、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
8、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化
9、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
10、負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
11、負(fù)載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
13、動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
14、負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
15、泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
電路的印刷線路板必須采取一定的預(yù)防措施：
1、SMD晶振的位置要遠(yuǎn)離任何有高速數(shù)據(jù)通過的串行或并行總線，高速數(shù)據(jù)傳輸會在振蕩電路
上產(chǎn)生感應(yīng)信號。
2、 在晶振的周圍布一條不封閉的地線，地線的一端連接到芯片的地線，地線可以有效地阻擋外部的噪聲。
3、在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設(shè)地線，以免形成電容影響晶振頻率的準(zhǔn)確性。
關(guān)于第3點非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導(dǎo)致石英水晶振子起振困難或者振蕩不穩(wěn)定。如果晶振不起振也有可能線路板問題，焊接如果偏離一點位置，會有一些不一樣的影響
購買晶振時要注意的幾項參數(shù)
4、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。
5、工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
6、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
7、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
8、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化
9、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
10、負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
11、負(fù)載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
13、動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
14、負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。15、泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
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