很多初級(jí)設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)線路的過(guò)程中都不知道怎么設(shè)計(jì)外圍的負(fù)載電容值，其實(shí)外圍的電容值匹配并沒(méi)有那么復(fù)雜，只用符合IC的情況下設(shè)計(jì)一般比較通用的負(fù)載就可以了，很多的IC廠商在IC匹配清單中，就有明確標(biāo)注使用多少的負(fù)載電容。當(dāng)然如果是匹配設(shè)計(jì)有錯(cuò)的話，會(huì)導(dǎo)致晶振不起振，或者是晶振頻率不穩(wěn)定等問(wèn)題出現(xiàn)，以下我們來(lái)了解一下晶振與電容這兩者之間到底需要如何匹配！
壓電石英晶振在晶片制作的過(guò)程中就有考慮到如何根據(jù)外圍指定的負(fù)載電容來(lái)調(diào)整頻差，因此在使用時(shí)所加給晶體的電容與之匹配才能達(dá)到所要求的頻率精度。在實(shí)際使用時(shí)的線路如圖一所示。
 
        晶振在工作中所接實(shí)際電容：CL=C1*C2/（C1+C2）+CIC+CPBC，即不僅受電容C1和C2影響，還要考慮芯片管腳電容和線路板分布電容。一般在理論推算時(shí)根據(jù)C1*C2/（C1+C2）計(jì)算出來(lái)的結(jié)果加上3~5PF即可。
電容的作用有協(xié)助晶振起振與穩(wěn)定振蕩的作用。一般頻率高的會(huì)用較低的電容、頻率低的會(huì)用較高的電容。在要求不高的情況下可不考慮雜散電容，取兩個(gè)電容量值相等,與晶體負(fù)載電容匹配即可，一般是可以滿足振蕩條件的。但要求較高的則必須得考慮，根據(jù)C1和C2算出的結(jié)果再加上雜散電容。若想在加電時(shí)加快晶體起振，可使C2值大于C1值。但在匹配這兩個(gè)電容值時(shí)要慎重選取，因?yàn)榉聪蚱鞯碾妷悍答伿强緾2的，假設(shè)C2過(guò)大，反饋電壓過(guò)低，這樣不穩(wěn)定，假設(shè)C2過(guò)小，反饋電壓過(guò)高，儲(chǔ)存能量過(guò)少，容易受外界干擾。C1的作用對(duì)C2恰好相反。
兩個(gè)電容值不相等或相等，隨電容精度或變化相同條件下，對(duì)頻率的影響不一樣，不相等時(shí)頻率變化會(huì)稍大一些。另外不同頻率點(diǎn)晶體在設(shè)計(jì)時(shí)C0值不易過(guò)大，即電極尺寸要小一些，否則電容對(duì)頻率的影響更靈敏。
在晶振使用過(guò)程中，不同的使用條件，即在不同設(shè)計(jì)線路中使用，由于IC管腳電容和線路板分布電容不同，盡管晶振是一樣的，所配電容C1和C2也相同，但振蕩頻率是不一樣的，頻率與負(fù)載電容之間的關(guān)系如圖二。

     從圖中看出，實(shí)際負(fù)載電容與頻率是反比關(guān)系，即頻率隨負(fù)載電容的增大而降低，反之而升高。使用時(shí)要得慎重。當(dāng)然如果是成熟的IC或者成熟的產(chǎn)品，我們完全可以按照IC生產(chǎn)商在資料中所標(biāo)注負(fù)載來(lái)直接匹配，或者也可以根據(jù)插件晶振或者是貼片晶振的負(fù)載來(lái)算出它的外圍負(fù)載要求。注：如有設(shè)計(jì)上的難題或者需求資料請(qǐng)聯(lián)系0755-27876565億金電子技術(shù)部！